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CVD
Principio de la tecnología LPCVD (CVD de baja presión)

Chemical Vapour Deposition (CVD, por sus siglas en inglés) es un nombre genérico para un grupo de procesos que pueden definirse como la deposición de un sólido sobre una superficie calentada a partir de una reacción química durante la fase de vapor. Temperaturas típicas: 700 – 1000°C.

Ejemplo de un sistema LPCVD

Principio de un sistema CVD de baja presión de tamaño de producción (LPCVD), donde los gases reactivos (de precursores gaseosos, líquidos o sólidos) se suministran a una cámara de reacción a una temperatura y presión adecuadamente determinadas.

Ejemplo de un sistema LPCVD

En el reactor, los gases entran en contacto con un sustrato calentado, por lo que reaccionan y forman una capa sólida.

Después de la reacción, el gas de escape contiene principalmente HCl que reaccionará con el hidróxido de sodio (NaOH) durante el proceso de recubrimiento en la bomba de vacío de anillo líquido y en un lavador de gas adicional en el sistema de neutralización.

Los subcloruros metálicos, condensados por una trampa de enfriamiento durante el proceso de recubrimiento, se neutralizan después del proceso de recubrimiento en un sistema de servicio.

La emisión total cumple con ATEX y las directrices técnicas de control de aire limpio (TA Luft alemana).

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