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CVD Beschichtung Prozess basierend auf Chemischer Gasphasenabscheidung

CVD Beschichtung basiert auf chemischer Gasphasenabscheidung

CVD Anlage Sucotec von Oerlikon Balzers

Prinzip der LPCVD-Technologie (Niederdruck-CVD)

Chemical Vapour Deposition (CVD) ist der allgemeine Begriff für die Abscheidung eines Festkörpers aus der Gasphase. Die chemische Reaktion wird dabei von einer erhitzten Oberfläche ausgelöst, auf der sich die Feststoffkomponente bildet. Die Temperaturen dieses Prozesses liegen bei 700 – 1000°C.

Aufbau eines LPCVD-Systems

Prinzipieller Aufbau einer Niederdruck-CVD-Anlage (LPCVD, Low-pressure Chemical Vapour Deposition), bei der die reaktiven Gase aus gasförmigen, flüssigen oder festen Ausgangsstoffen (Präkursoren) bei geeigneter Temperatur und einem definierten Druck in einen Reaktor geleitet werden.

Aufbau eines LPCVD-Systems

Beipiel eines LPCVD-Systems für die CVD Beschichtung

Im Reaktor kommen die Gase mit den erhitzten Substraten in Kontakt. An deren heißen Oberflächen finden sodann die chemischen Reaktionen statt, aus deren Reaktionsprodukten sich die festen Schichten auf den Oberflächen bilden.

Das bei der chemischen Gasphasenabscheidung anfallende Abgas besteht hauptsächlich aus HCl, das während des Beschichtungsvorgangs mit einer Flüssigringpumpe abgesaugt und in einem Gaswäscher (Neutralisationsanlage) mit Hilfe von Natriumhydroxid (NaOH) neutralisiert wird.

Die Metallsubchloride, die während des Beschichtungsprozesses in einer Kühlfalle auskondensieren, werden nach dem Beschichtungsprozess mit einer eigenen Neutralisationsanlage abgesaugt und mit Hilfe von Natriumhydroxid (NaOH) neutralisiert.

Die Gesamtemission ist konform nach ATEX und den technischen Richtlinien der Luftreinhaltung (German TA Luft).

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