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CVD
Principio de la Tecnología LPCVD Technology (CVD de baja presión)

El Chemical Vapour Deposition (CVD) es el nombre genérico de un grupo de procesos que pueden definirse como la deposición de un sólido sobre una superficie que ha sido calentada, a partir de una reacción química durante la fase de vapor. Temperaturas típicas: 700 – 1000°C.

Ejemplo de un sistema LPCVD

Principio de un sistema productivo de CVD de baja presión (LPCVD), en el que los gases reactivos (de precursores gaseosos, líquidos o sólidos) se suministran a una cámara de reacción a una temperatura y presión predeterminados adecuados.

Ejemplo de un sistema LPCVD

En el reactor los gases entran en contacto con una superficie que ha sido calentada, por lo que reaccionan y forman una capa sólida.

Después de la reacción, el gas de escape contiene sobre todo HCl que reaccionará con el hidróxido de sodio (NaOH) durante el proceso de recubrimiento en la bomba de vacío de anillo líquido y en la limpieza de gas adicional en el sistema de neutralización.

Los metales sub cloruros, condensados en una trampa de enfriamiento durante el proceso de recubrimiento, se neutralizan tras el proceso de recubrimiento en un sistema de servicio.

Las emisiones totales cumplen con ATEC y con las directrices técnicas del control de aire puro (Alemán TA Luft).

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