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CVD

화학 기상 증착 기반 공정

LPCVD 기술의 원리(저압 CVD)

화학 기상 증착(CVD)은 기체 상태의 화학 반응으로 가열된 표면에 고체가 증착되는 것으로 정의될 수 있는 일련의 프로세스를 가르키는 말로, 프로세스 온도는 700 ~ 1000°C 범위입니다.

LPCVD 시스템의 예

생산 사이즈 저압 CVD 시스템(LPCVD)의 원리는 반응 가스(기체, 액체 또는 고체 상태의 재료)가 적절한 온도 및 압력에서 반응 챔버로 공급됩니다.

LPCVD 시스템의 예

반응 챔버에서 가스는 가열된 기판과 접촉하여 반응한 후 고체층을 형성합니다.

반응 후, 배기 가스는 주로 HCI를 포함하며 이 HCI는 액체 링 진공 펌프의 코팅 프로세스 중이나 중화 시스템의 추가 가스 세척기에서 수산화나트륨(NaOH)과 반응합니다.

코팅 프로세스 중에 냉각에 의해 응축된 금속 아염화물은 시스템에서 코팅 프로세스 후에 중화됩니다.

총 배출량은 ATEX 및 청정 공기 제어 기술 지침(독일 TA Luft)을 준수합니다.