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Processo a base de Deposição Química de Vapor
Deposição Química de Vapor (CVD) é um nome genérico para um grupo de processos que devem ser definidos como a deposição de um sólido em uma superfície aquecida por uma reação química durante a fase de vapor. Temperaturas típicas: 700-1000°C.
Princípio de um sistema CVD de baixa pressão (LPCVD) de tamanho de produção, onde os gases reagentes (de precursores gasosos, líquidos ou sólidos) são fornecidos em uma câmara de reação a uma temperatura e pressão adequadamente determinadas.
Exemplo de um sistema de LPCVD
No reator, gases entram em contato com um substrato aquecido, então eles reagem e formam uma camada sólida.
Depois da reação, o gás de escape contém principalmente HCl que reagirá com o hidróxido de sódio (NaOH) durante o processo de revestimento em uma bomba de vácuo de anel líquido e em um lavador de gás adicional no sistema de neutralização.
Os subcloretos de metal, condensados por uma armadilha de resfriamento durante o processo de revestimento, são neutralizados após o processo de revestimento em um sistema de serviço.
O total de emissão é compatível com ATEX e os guias técnicos de limpeza de controle de ar limpo. (German TA Luft).
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