Choose your country / language
Argentina
Brazil
Canada
Mexico
USA
Austria
Belgium
Czech Republic
Finland
France
Germany
Hungary
Italy
Luxembourg
Netherlands
Poland
Portugal
Romania
Slovakia
Sweden
Turkey
United Kingdom
China
India
Indonesia
Japan
Korea
Malaysia
Philippines
Singapore
Vietnam
Prozess basierend auf Chemischer Gasphasenabscheidung
CVD Anlage Sucotec von Oerlikon Balzers
Chemical Vapour Deposition (CVD) ist der allgemeine Begriff für die Abscheidung eines Festkörpers aus der Gasphase. Die chemische Reaktion wird dabei von einer erhitzten Oberfläche ausgelöst, auf der sich die Feststoffkomponente bildet. Die Temperaturen dieses Prozesses liegen bei 700 – 1000°C.
Prinzipieller Aufbau einer Niederdruck-CVD-Anlage (LPCVD, Low-pressure Chemical Vapour Deposition), bei der die reaktiven Gase aus gasförmigen, flüssigen oder festen Ausgangsstoffen (Präkursoren) bei geeigneter Temperatur und einem definierten Druck in einen Reaktor geleitet werden.
Beipiel eines LPCVD-Systems für die CVD Beschichtung
Im Reaktor kommen die Gase mit den erhitzten Substraten in Kontakt. An deren heißen Oberflächen finden sodann die chemischen Reaktionen statt, aus deren Reaktionsprodukten sich die festen Schichten auf den Oberflächen bilden.
Das bei der chemischen Gasphasenabscheidung anfallende Abgas besteht hauptsächlich aus HCl, das während des Beschichtungsvorgangs mit einer Flüssigringpumpe abgesaugt und in einem Gaswäscher (Neutralisationsanlage) mit Hilfe von Natriumhydroxid (NaOH) neutralisiert wird.
Die Metallsubchloride, die während des Beschichtungsprozesses in einer Kühlfalle auskondensieren, werden nach dem Beschichtungsprozess mit einer eigenen Neutralisationsanlage abgesaugt und mit Hilfe von Natriumhydroxid (NaOH) neutralisiert.
Die Gesamtemission ist konform nach ATEX und den technischen Richtlinien der Luftreinhaltung (German TA Luft).
Schematische Ansicht der Schichten einer CVD Beschichtung
