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CVD

基于化学气相沉积的工艺

LPCVD技术原理（低压CVD）

化学气相沉积 (CVD) 是一组工艺的通用名称，可定义为原料在气相条件下通过化学反应在加热表面上沉积固体。通常沉积温度: 700 – 1000°C.

LPCVD 系统示例

生产端低压 CVD 系统 (LPCVD) 的原理，其中反应气体（来自气体、液体或固体前趋体）在适当的温度和压力下输送到反应室中。

LPCVD 系统示例

在反应器中，气体与加热的基材接触，这些气体高温下发生反应并形成固体涂层。

反应结束后，废气主要含有 HCl，涂层过程中产生的废气会在液环真空泵和中和系统附加气体洗涤器中，与氢氧化钠 (NaOH) 发生反应。

在涂层过程中，金属亚氯化物被冷却阱冷凝，并于涂层后在一个辅助系统里被中和。

总排放符合 ATEX 和清洁空气控制技术指南（德国 TA Luft）。