Choose your country / language

Vylepšené rozprašovanie

Zlepšené naprašovanie využíva nízkonapäťový oblúkový výboj v centre komory, aby bola vytvorená plazmová intenzita niekoľkokrát väčšia ako základný naprašovací postup a tak bol produkovaný omnoho vyšší stupeň ionizácie častíc v plynnej fáze.

  1. Zdroj elektrónového lúča
  2. Argón
  3. Reaktívny plyn
  4. Zdroj planárneho magnetrónového odparovania (povlakovací materiál)
  5. Komponenty/Nástroje
  6. Nízkonapäťový oblúkový výboj
  7. Pomocná anóda
  8. Vákuová pumpa

Spätná väzba alebo otázky? Spojte sa s nami!

keyboard_arrow_up